1. Trosolwg o statws technolegol cyffredinol presennol LEDs sy'n seiliedig ar silicon

Mae twf deunyddiau GaN ar swbstradau silicon yn wynebu dwy her dechnegol fawr.Yn gyntaf, mae diffyg cyfatebiaeth dellt o hyd at 17% rhwng y swbstrad silicon a GaN yn arwain at ddwysedd dadleoli uwch y tu mewn i'r deunydd GaN, sy'n effeithio ar effeithlonrwydd ymoleuedd;Yn ail, mae diffyg cyfatebiaeth thermol o hyd at 54% rhwng y swbstrad silicon a GaN, sy'n gwneud ffilmiau GaN yn dueddol o gracio ar ôl twf tymheredd uchel a gostwng i dymheredd ystafell, gan effeithio ar gynnyrch cynhyrchu.Felly, mae twf yr haen glustogi rhwng y swbstrad silicon a ffilm denau GaN yn hynod bwysig.Mae'r haen glustogi yn chwarae rhan wrth leihau'r dwysedd dadleoli y tu mewn i GaN a lleddfu cracio GaN.I raddau helaeth, mae lefel dechnegol yr haen glustogi yn pennu effeithlonrwydd cwantwm mewnol a chynnyrch cynhyrchu LED, sef ffocws ac anhawster sy'n seiliedig ar silicon.LED.Ar hyn o bryd, gyda buddsoddiad sylweddol mewn ymchwil a datblygu gan y diwydiant a'r byd academaidd, mae'r her dechnolegol hon wedi'i goresgyn yn y bôn.

Mae'r swbstrad silicon yn amsugno golau gweladwy yn gryf, felly rhaid trosglwyddo'r ffilm GaN i swbstrad arall.Cyn trosglwyddo, gosodir adlewyrchydd adlewyrchedd uchel rhwng y ffilm GaN a'r swbstrad arall i atal y golau a allyrrir gan y GaN rhag cael ei amsugno gan y swbstrad.Mae'r strwythur LED ar ôl trosglwyddo swbstrad yn hysbys yn y diwydiant fel sglodion Ffilm Thin.Mae gan sglodion ffilm tenau fanteision dros sglodion strwythur ffurfiol traddodiadol o ran trylediad cyfredol, dargludedd thermol, ac unffurfiaeth sbot.

2. Trosolwg o'r statws cais cyffredinol presennol a throsolwg o'r farchnad o LEDs swbstrad silicon

Mae gan LEDs sy'n seiliedig ar silicon strwythur fertigol, dosbarthiad cerrynt unffurf, a gwasgariad cyflym, gan eu gwneud yn addas ar gyfer cymwysiadau pŵer uchel.Oherwydd ei allbwn golau un ochr, cyfeiriadedd da, ac ansawdd golau da, mae'n arbennig o addas ar gyfer goleuadau symudol fel goleuadau modurol, goleuadau chwilio, lampau mwyngloddio, goleuadau fflach ffonau symudol, a meysydd goleuo pen uchel gyda gofynion ansawdd golau uchel. .

Mae technoleg a phroses swbstrad silicon Jingneng Optoelectronics LED wedi dod yn aeddfed.Ar sail parhau i gynnal manteision blaenllaw ym maes swbstrad silicon sglodion LED golau glas, mae ein cynnyrch yn parhau i ymestyn i feysydd goleuo sydd angen golau cyfeiriadol ac allbwn o ansawdd uchel, megis sglodion LED golau gwyn gyda pherfformiad uwch a gwerth ychwanegol , Goleuadau fflach ffôn symudol LED, goleuadau car LED, goleuadau stryd LED, backlight LED, ac ati, yn sefydlu'n raddol sefyllfa fanteisiol sglodion LED swbstrad silicon yn y diwydiant segmentiedig.

3. Tuedd datblygu rhagfynegiad o LED swbstrad silicon

Mae gwella effeithlonrwydd ysgafn, lleihau costau neu gost-effeithiolrwydd yn thema dragwyddol yn ydiwydiant LED.Rhaid pecynnu sglodion ffilm tenau swbstrad silicon cyn y gellir eu cymhwyso, ac mae cost pecynnu yn cyfrif am ran fawr o gost cais LED.Hepgor pecynnau traddodiadol a phecynnu'r cydrannau ar y wafer yn uniongyrchol.Mewn geiriau eraill, gall pecynnu graddfa sglodion (CSP) ar y wafer hepgor y pen pecynnu a mynd i mewn i ddiwedd y cais yn uniongyrchol o'r pen sglodion, gan leihau cost cymhwyso LED ymhellach.PDC yw un o'r rhagolygon ar gyfer LEDs GaN ar silicon.Mae cwmnïau rhyngwladol fel Toshiba a Samsung wedi adrodd eu bod yn defnyddio LEDs seiliedig ar silicon ar gyfer PDC, a chredir y bydd cynhyrchion cysylltiedig ar gael yn y farchnad cyn bo hir.

Yn y blynyddoedd diwethaf, man poeth arall yn y diwydiant LED yw Micro LED, a elwir hefyd yn lefel micrometer LED.Mae maint Micro LEDs yn amrywio o ychydig ficromedrau i ddegau o ficromedrau, bron ar yr un lefel â thrwch ffilmiau tenau GaN a dyfir gan epitaxy.Ar y raddfa micromedr, gellir gwneud deunyddiau GaN yn uniongyrchol yn GaNLED wedi'i strwythuro'n fertigol heb fod angen cefnogaeth.Hynny yw, yn y broses o baratoi Micro LEDs, rhaid tynnu'r swbstrad ar gyfer tyfu GaN.Mantais naturiol LEDs silicon yw y gellir tynnu'r swbstrad silicon trwy ysgythru gwlyb cemegol yn unig, heb unrhyw effaith ar y deunydd GaN yn ystod y broses dynnu, gan sicrhau cynnyrch a dibynadwyedd.O'r safbwynt hwn, mae technoleg swbstrad silicon LED yn sicr o gael lle ym maes Micro LEDs.